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氧化铝陶瓷球怎么成型？

经过挤压法成型氧化铝陶瓷球是一种尤其广泛的临盆方法，在方今同类瓷球中品位最低，产量较大，正常用于成型中铝下列瓷球或许是黏土球。这类瓷球烧结温度低，所须要的设施对照简朴，并且须要的投资对照小，于是被很多小厂家所喜爱。

用此办法成型的氧化铝陶瓷球并不是几多意义上的球形，而是圆柱形或柱球形，用此成型办法正常是临盆中铝以上瓷球。昔时罕用单柱式液压机成型氧化铝陶瓷球，正常成型压力都不高，单向加压，其坯体强度低，密度小，烧成紧缩大，烧结温度高。用双向液压机成型氧化铝陶瓷球是最近才停顿起来的,尤其合用于成型小球。

用湿袋法冷等静压成型氧化铝陶瓷球，是先将粉料填充在内腔为球形的软模(橡胶模)中，软模须密封好，放入冷等静压机的劳动缸(高压容器)内，通入超高压(正常在MPa以上)液体介质，液体介质以各向均等的压力将软模连同粉料匀称收缩，待卸压后将软模连同其内部的坯体从冷等静压机的劳动缸中掏出(胶模是湿的，而胶模又称为袋，湿袋由此而得名)，在劳动缸外脱模即获得球形坯体。

用此办法成型的氧化铝陶瓷球坯体密度高且匀称,是总共成型办法中较好的。

干法等静压成型氧化铝陶瓷球是方今起先进的成型办法，简朴完结主动化临盆，受人为要素影响小，坯体的形态及表面的一致性均优于湿袋法冷等静压成型。

正常从起先加压到卸压完毕的一个抑制周期在一分钟之内，卸压时坯体内部的气体要在短时候内排出,假设粉料的水份不匀称或许造粒的粒度不符合，坯体都简朴开裂以至毁坏性炸开，故用此办法成型对粉体的成型本能请求高，须经喷雾造粒的粉料。

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有理解第三代半导体氮化镓和碳化硅，再有外表工艺的吗？

第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料比拟最大的上风是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，合适制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G基站、卫星等新兴范畴的巴望材料。

视频先容：英飞凌公司：对于不同的硅,碳化硅,氮化镓技艺

碳化硅资产链可分为三个步骤：碳化硅衬底材料的制备、外表层的成长、器件缔造以及下游运用墟市，时常采取物理气相传输法（PVT法）制备碳化硅单晶，再在衬底上应用化学气相堆积法（CVD法）生成外表片，末了制成器件。

碳化硅外表片，是指在碳化硅衬底上成长了一层有确定请求的、与衬底晶雷同的单晶薄膜（外表层）的碳化硅片。现实运用中，宽禁带半导体器件险些都做在外表层上，碳化硅晶片自己只做为衬底，包含GaN外表层的衬底。

外表工艺：

我国SiC外表材料研发劳动开拓于“九五企图”，材料成长技艺及器件探索均获得较猛停顿。首要探索单元有中科院半导体探索所、中电团体13所和55所、西安电子科技大学等，资产化公司主若是东莞天域和厦门瀚每天成。

方今我国已研发胜利6英寸SiC外表晶片，且根本完结贸易化。也许满意3.3kV及下列电压品级SiC电力电子器件的研发。不过，还不能满意研发10kV及以上电压品级器件和研发双极型器件的须要。

暂时碳化硅外表的干流技艺包含斜切台阶流技艺和TCS技艺等等。

所谓斜切台阶流技艺即切割碳化硅衬底时切出一个8°左右的偏角。如此切出的衬底表面出形成很高的台阶流密度，进而简朴完结晶圆级碳化硅外表。方今，斜切台阶流技艺曾经对照老练。然则该技艺也有两个毛病：一是该技艺无奈阻断基平面位错；二是该技艺会对衬底材料形成滥用。

引入TCS也许完结成长速度抵达保守的成长速度10倍以上，它的引入不仅是临盆速度获得擢升，同时也是品质获得大大的操纵，尤其是对于硅滴的操纵，于是说对于厚膜外表成长来讲是尤其有益的。

这个技艺领先由LPE在14年完结贸易化，在17年左右Aixtron对设施实行了晋级改革，将这个技艺移植到了贸易的设施中。

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